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기존 페로브스카이트 장치 제조 시 발생하는 계면 결함 및 패터닝 저하 문제는 고성능 장치 구현의 걸림돌이었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 희생 패턴의 팽창을 이용한 혁신적인 '스웰링 유도 리프트오프' 형성 방법을 제안합니다. 이 방법은 페로브스카이트층과 전하 수송층을 동시에 패터닝하여 계면 결함 없이 균일하고 안정적인 패턴을 형성합니다. 이를 통해 20.1%의 전력 변환 효율을 달성하는 고성능 페로브스카이트 장치 구현이 가능하며, 반투명 태양광 장치, 유색 태양광 윈도우 등 다양한 광전자 소자에 적용될 수 있습니다. 본 기술은 페로브스카이트 기반 소자의 성능과 신뢰도를 획기적으로 향상시킬 것입니다.
| 기술 분야 | 페로브스카이트 소자 제조 |
| 판매 유형 | 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법 | |
| 기관명 | |
| 서울대학교산학협력단 기초과학연구원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 김대형 | - |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020220026287 | 1026570630000 |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2022.02.28 |
| 중요 키워드 | |
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