페로브스카이트 패턴을 포함하는 광전 소자 및 그 형성 방법

[기술 요약] 기존 이미지 센서는 단결정 실리콘의 성능 한계와 유무기 페로브스카이트의 식각 용매 불안정성으로 인한 고해상도 패턴 형성의 어려움을 겪고 있습니다. 본 기술은 이러한 문제 해결을 위해 친수성-소수성 표면의 선택적 젖음성을 활용한 유무기 페로브스카이트 고해상도 패터닝 방법을 개발하였습니다. 기판 위에 전자 전송층을 노출시키는 자기조립층 패턴을 형성하고, 그 위에 유무기 하이브리드 페로브스카이트 용액을 스핀 코팅하여 원하는 고해상도 패턴을 안정적으로 구현합니다. 스핀 코팅 속도, 시간 및 용액 온도 조절을 통해 패턴 수율을 최적화하며, 페로브스카이트의 할로겐 성분 조절로 응답 광파장을 다양화하여 무필터 컬러 가변 광검출 장치도 구현할 수 있습니다. 이 기술로 개발된 광전 소자는 우수한 성능을 갖추고 얇고 가벼우며, 유리, 반도체, 플라스틱 등 다양한 기판에 적용 가능하여 플렉시블 디바이스로도 활용할 수 있습니다. 이는 이미지 센서, 태양 전지, 발광 장치 등 차세대 광전 소자 시장에 새로운 가능성을 제시하며 제조 비용 절감에도 기여할 것으로 기대됩니다.

기술 분야

광전소자 제조 기술

기관

기초과학연구원

등록번호

1018909960000

키워드

신소재개발, 포토다이오드, 광전소자, 유무기하이브리드, 페로브스카이트, 정공전송층, 고해상도패턴, 플렉시블소자, 컬러가변, 광검출장치, 스핀코팅, 차세대기술, 이미지센서, 나노멤브레인, 전자전송층, 전자부품, 영상기기, 반도체제조, 반도체소자, 광학기기, 이미징기술, 센서기술, 나노구조