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기존 이차원 소재의 한계를 넘어, 초미세 반도체 소자 구현을 위한 혁신적인 복합 구조체가 개발되었습니다. 본 발명은 이방성 원자 구조를 갖는 이차원 물질(특히 흑린) 적층체 내에 전이금속 원자(특히 구리)를 주기적으로 배열하여 나노미터 스케일의 전도성 채널을 형성하는 기술입니다. 이 기술은 채널 너비를 옹스트롬 단위로 정밀하게 제어할 수 있으며, 단순한 증착 및 열처리 공정으로 초미세 반도체 소자의 광학적, 전기적 특성을 획기적으로 향상시킵니다. 차세대 전자 소자 및 고성능 반도체 구현의 핵심 솔루션이 될 것입니다.
| 기술 분야 | 초미세 반도체 소자 기술 |
| 판매 유형 | 자체 판매 |
| 판매 상태 | 판매 중 |
| 기술명 | |
| 전도성 채널을 포함하는 복합 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조방법 | |
| 기관명 | |
| 기초과학연구원 울산과학기술원 | |
| 대표 연구자 | 공동연구자 |
| 이종훈 | - |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 1020210136299 | 1025447410000 |
| 권리구분 | 출원일 |
| 특허 | 2021.10.14 |
| 중요 키워드 | |
사물인터넷 소자차세대 전자소자전도성 채널나노 스케일 반도체흑린 복합 구조체반도체 제조 공정플렉서블 디바이스구리 원자초미세 반도체TRL 6단계 기술이차원 소재고성능 반도체열처리 제어전이금속 삽입 기술옹스트롬 채널전자회로반도체소자나노구조 | |
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