AI요약

기존 이차원 자성체 스핀 소자는 높은 자기이방성으로 인해 큰 전력 소모와 제어의 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 도핑(홀 도핑) 및/또는 전기장 인가를 통해 이차원 자성체층의 자기이방성을 효과적으로 낮추는 스핀 소자를 제공합니다. 이 소자는 제1 전극층, 제2 전극층, 절연층 사이에 위치하는 도핑 제어 가능한 이차원 자성체층을 포함하며, 각 층은 이차원 구조를 갖고 평행하게 배열되어 이종접합을 형성합니다. 이를 통해 적은 전력으로도 자화 방향을 용이하게 제어할 수 있으며, 스핀 정보 보존율을 높여 소자 성능을 향상시킵니다. 그래핀 전극 및 hBN 절연층을 활용하여 유연성을 갖춘 차세대 스핀 소자 개발에 기여할 수 있습니다. 본 기술은 미래 자기 메모리 및 스핀트로닉스 분야의 혁신을 이끌어 갈 핵심 기술입니다.