AI요약

고집적 반도체 소자의 핵심인 DRAM 커패시터는 미세화에 따른 유전율 및 밴드갭의 한계로 인해 누설전류 제어가 어려웠습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 BexM1-xO 화학식을 가지며 상온 안정 암염(rocksalt) 구조를 갖는 혁신적인 유전막을 개발하였습니다. 이 유전막은 높은 유전율과 큰 밴드갭을 동시에 구현하여, 특히 10nm급 DRAM 소자에서 요구되는 얇은 박막 두께에서도 높은 정전용량과 낮은 누설전류를 제공합니다. 원자층 증착(ALD) 공정을 통해 안정적으로 형성 가능하며, 차세대 고성능 반도체 메모리 소자 개발에 기여할 것입니다.