AI요약

기존 탄소나노튜브 전극은 신축성을 가졌으나, 충분한 전도성이 부족하고 기계적 변형 시 단절되어 신뢰성이 저하되는 문제가 있었습니다. 본 기술은 고분자 지지층과 탄소나노튜브-고분자 복합층 위에 배치된 탄소나노튜브층을 포함하며, 특히 탄소나노튜브를 고분자 속으로 침투시켜 안정화하고, 상부의 탄소나노튜브를 전단력을 통해 빗겨서 인접한 나노튜브 간 접촉을 최대화합니다. 이로써 전도성과 기계적 신뢰성을 동시에 확보합니다. 희생 기판 위에 촉매층을 형성하고 탄소나노튜브 숲을 성장시킨 후, 줄 히팅(Joule heating)으로 고분자의 침투 깊이를 조절하여 탄소나노튜브-고분자 복합층을 형성합니다. 이후 기판을 제거하고 전단력을 가해 나노튜브를 빗겨 전도성을 높입니다. 필요시 전도층을 추가하여 성능을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 이렇게 제조된 탄소나노튜브 전극은 현저히 향상된 전도성과 뛰어난 신축성을 가지며, 벤딩, 트위스팅 등 물리적 변형에도 강한 내구성을 보입니다. 웨어러블 전자장치, 생체 부착형 기기, 신축성 전력 코일, 마찰전기 발전기, 수퍼커패시터, 리튬이온 배터리 등 다양한 플렉서블 전자 소자에 적용되어 고성능의 신뢰성 높은 솔루션을 제공할 수 있습니다.