AI요약

기존 SnSe 등 MQ계 열전소재는 주로 p-type 반도체 특성을 보여 n-type 구현에 어려움이 있어 열전모듈의 실용화 및 안정성 보증에 한계가 있었습니다. 본 기술은 칼코겐화합물의 조성 설계 변경을 통해 양이온 공공 생성을 효과적으로 억제하여 n-type 반도체 특성을 구현합니다. Ge, Sn, P, As, Sb, Bi, S, Se, Te, F, Cl, Br, I 등 특정 원소의 치환 및 셀프-도핑 방식을 활용하여 SnSe 기반 소재의 전자밀도를 증대시키고 n-type으로 변환합니다. 이로써 넓은 작동 온도 범위(300K~800K)에서 안정적인 성능을 유지하며, 저비용으로 간단하게 제조될 수 있습니다. 웨어러블 기기, 태양전지, IR/UV 디텍터, 센서, 자동차, 공장, 항공기, 선박 등 폐열이 발생하는 다양한 분야에 적용되어 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.