칼코겐화합물 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자

[기술 요약] 기존 SnSe 등 MQ계 열전소재는 주로 p-type 반도체 특성을 보여 n-type 구현에 어려움이 있어 열전모듈의 실용화 및 안정성 보증에 한계가 있었습니다. 본 기술은 칼코겐화합물의 조성 설계 변경을 통해 양이온 공공 생성을 효과적으로 억제하여 n-type 반도체 특성을 구현합니다. Ge, Sn, P, As, Sb, Bi, S, Se, Te, F, Cl, Br, I 등 특정 원소의 치환 및 셀프-도핑 방식을 활용하여 SnSe 기반 소재의 전자밀도를 증대시키고 n-type으로 변환합니다. 이로써 넓은 작동 온도 범위(300K~800K)에서 안정적인 성능을 유지하며, 저비용으로 간단하게 제조될 수 있습니다. 웨어러블 기기, 태양전지, IR/UV 디텍터, 센서, 자동차, 공장, 항공기, 선박 등 폐열이 발생하는 다양한 분야에 적용되어 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.

기술 분야

칼코겐화합물 열전 반도체

기관

기초과학연구원

등록번호

1017608340000

키워드

폐열 회수, 도핑 기술, n형 반도체, SnSe, 반도체 기술, 조성 설계, 제벡 효과, 신재생 에너지, 열전 발전, 에너지 변환, 웨어러블 기기, 열전소재, 칼코겐화합물, 열전소자, 펠티어 효과, 전자부품, 반도체제조, 반도체소자, 센서기술, 무기화학, 신재생에너지, 자동차, 가전제품, 반도체/디스플레이