AI요약

기존 초전도 박막은 높은 자기장은 물론 낮은 자기장 환경에서도 초전도 특성을 잃어버리는 문제가 있었습니다. 본 기술은 이러한 한계를 극복하기 위해 초전도층 내부에 나노미터 크기의 강자성체 또는 반강자성체 섬/점을 정밀하게 배열하는 방식을 제안합니다. 특히, 2~20nm 간격과 1~200nm2 면적으로 반강자성체를 초전도층 상부 또는 내부에 형성하여 외부 자기력선속을 효과적으로 포획합니다. 이를 통해 무자기장 및 낮은 자기장에서도 초전도 특성을 완벽히 유지하며, 높은 자기장에서도 성능 저하를 최소화할 수 있습니다. 이 기술은 초전도 모터, 발전기, 자기부상 열차 등 다양한 고자기장 초전도 응용 장치의 안정적인 성능 확보와 상용화 확대에 크게 기여할 것입니다.