AI요약

기존 HfO2 강유전체 박막은 고온 공정이 필수적이며, 이로 인해 결정학적 특성 파악 및 안정적인 소자 적용에 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 새로운 강유전체 박막 형성 방법을 제안합니다. 희생 시드층을 활용한 전사 공정을 통해, 고온 처리 없이도 강유전체 박막을 상온에서 안정적으로 형성할 수 있습니다. 특히, HfO2 박막의 결정 구조를 두께에 따라 정밀하게 제어하고, 압축 스트레인된 대칭 상을 가짐으로써 강유전성을 향상시키며, 기존 분석으로는 어려웠던 상 식별의 명확성을 제공합니다. 이 기술은 강유전성 저하 및 기판 손상 없이 다양한 차세대 전자 소자에 안정적으로 적용 가능하여, 소자 개발의 한계를 극복하고 산업 발전에 기여할 것으로 기대됩니다.