AI요약

기존 2차원 반도체 도핑 공정은 물질 손상을 유발하는 한계가 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해, 2차원 전이금속 칼코겐화합물 막에 산소 원자를 이용한 p형 도핑 방법 및 이를 적용한 반도체 장치를 제안합니다. 레이저 조사를 통해 2차원 반도체의 전기적, 기계적, 광학적 특성 손상 없이 p형 영역을 형성하며, 이를 통해 pn접합 다이오드, 바이폴라 트랜지스터 등 차세대 고성능 2차원 반도체 소자 개발에 기여할 수 있습니다.