2차원 반도체, 이를 p형 도핑하는 방법, 및 이를 포함하는 2차원 반도체 장치

[기술 요약] 기존 2차원 반도체 도핑 공정은 물질 손상을 유발하는 한계가 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해, 2차원 전이금속 칼코겐화합물 막에 산소 원자를 이용한 p형 도핑 방법 및 이를 적용한 반도체 장치를 제안합니다. 레이저 조사를 통해 2차원 반도체의 전기적, 기계적, 광학적 특성 손상 없이 p형 영역을 형성하며, 이를 통해 pn접합 다이오드, 바이폴라 트랜지스터 등 차세대 고성능 2차원 반도체 소자 개발에 기여할 수 있습니다.

기술 분야

2차원 반도체 도핑

기관

기초과학연구원

등록번호

1020800830000

키워드

원자층 반도체, 2차원 반도체, 반도체 장치, PN 접합 다이오드, TMD 반도체, P형 도핑, 전자 억셉터, MoTe2, 산소 도핑, 재료 손상 방지, BJT 개발, 전이금속 칼코겐화합물, 레이저 도핑, 차세대 반도체, 유연 전자 소자, 전자회로, 반도체제조, 반도체소자, 물질분석, 반도체/디스플레이