AI요약

기존 2차원 반도체 소자의 면-대-면 접합은 높은 접촉 저항으로 성능 및 집적화에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해, 서로 다른 면저항 값을 가진 두 층을 횡방향으로 에피택셜 성장시켜 원자 단위에서 결함 없는 2차원 이종 접합 구조를 형성합니다. 특히, MoTe2와 같은 전이금속 디칼코게나이드를 활용하여 온도 제어만으로 금속성과 반도체성 결정 구조를 선택적으로 합성하고, 이를 제1층 측면에 에피택셜 방식으로 성장시킵니다. 이 공정은 단일 챔버 내에서 이루어져 공정 단순화와 생산 효율을 높일 수 있습니다. 이 기술을 통해 차세대 고성능 이차원 집적회로 구현이 가능하며, 소자 성능 향상과 고집적화를 동시에 달성할 수 있습니다.