AI요약

기존 헤테로원자 도핑 그래핀 제조 방식은 복잡하고 특정 전구체를 요구하며 대량 생산에 한계가 있었습니다. 본 기술은 하이드록시기를 포함하지 않는 헤테로원자 전구체(S, N, B, Si, P, F 등)와 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기에서 온화하게 가열하여 고함량 헤테로원자 도핑 그래핀을 대량으로 제조합니다. 이 방법은 디메틸설폭사이드(DMSO)나 디메틸포름아미드(DMF) 같은 전구체를 활용하며, 낮은 온도에서도 고품질 그래핀을 얻을 수 있습니다. 제조된 그래핀은 리튬 이온 전지의 음극 재료로 우수한 성능을 보이며, 에너지 저장용 산소 환원 반응 촉매로도 활용 가능합니다. 간단하고 경제적인 공정을 통해 차세대 에너지 장치의 핵심 소재 개발을 가속화할 수 있습니다.