AI요약

기존 트랜지스터의 한계인 낮은 on/off 효율과 전하 이동도 문제를 극복하기 위해, 본 발명은 그래핀과 반도체 물질층을 적층한 이종접합 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제안합니다. 양방향 전계효과와 쿨롱 드래그 현상을 활용하여 채널층의 전하 밀도를 정밀하게 조절함으로써, 상온에서 3,700 cm²V⁻¹s⁻¹ 이상의 높은 전하 이동도와 10⁸ 이상의 뛰어난 on/off 효율을 동시에 구현하였습니다. 이는 낮은 전력 소모와 빠른 응답 속도를 특징으로 하는 차세대 전자 소자 개발의 핵심 기술입니다. 기존 실리콘 기반 산업의 패러다임을 2차원 계면소자로 전환하는 데 기여하며, 미래 전자기기 분야의 혁신을 이끌 것입니다.