AI요약

기존 전이금속 디칼코게나이드 제조 방식은 낮은 결정성과 불균일한 박막 형성의 한계가 있었습니다. 본 기술은 칼코게나이드 기체를 전이금속 소스에 공급하고 가열하는 화학기상증착(CVD) 방식을 활용합니다. 특히, 승온 속도와 성장 시간을 정밀하게 제어하여 원하는 결정 구조(1T/1T'상 또는 2H상)를 갖는 전이금속 디칼코게나이드를 대면적으로 균일하게 제조하며, 두께와 결정성까지 향상시킬 수 있습니다. 이를 통해 차세대 반도체, 저전력 전기 장치, 디스플레이, 광전지 등 다양한 분야에 활용 가능한 고품질 박막 생산이 가능합니다.