AI요약

기존 2차원 텅스텐 디칼코게나이드 형성 기술은 낮은 결정성, 불균일성, 협소한 면적 등의 문제로 산업 적용에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하고자 금박 하부에 메타텅스텐산암모늄(AMT) 전구체 용액이 분무된 세라믹 보트를 배치하고, 황화수소 또는 셀레늄화수소 가스와 질소 가스를 공급하는 화학기상증착(CVD) 방식을 활용합니다. 금박층과 세라믹 보트를 정밀하게 가열하여 금박 하부면에 텅스텐 디설파이드(WS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(WSe2) 단일층을 형성합니다. 특히 금박층의 전처리 및 세라믹 보트의 배치를 최적화하여 100㎛ 이상의 크고 균일한 결정을 갖는 대면적 단일층을 구현합니다. 이 기술을 통해 저전력 전기 회로, 플렉서블 디스플레이, 센서 및 반도체 소자 등 다양한 차세대 전자장치 분야에서 핵심 소재로 활용될 수 있는 고품질의 2차원 재료를 효율적으로 생산할 수 있습니다.