자기 메모리 장치 및 그것의 동작 방법

[기술 요약] 전자 기기의 고속화와 저전력화 요구에 맞춰, 본 발명은 Fe3GeTe2를 활용한 혁신적인 자기 메모리 장치 및 동작 방법을 제공합니다. 전기장과 자기장 제어를 통해 기존 메모리의 한계를 넘어선 멀티 비트 기록 및 저장이 가능합니다. 이를 통해 정보 밀도를 획기적으로 높이고, 적은 에너지로 효율적인 정보 기록이 가능하여 에너지 효율이 우수합니다. 특히, 인공지능 및 신경망 컴퓨터에 활용될 차세대 다중 상태 스핀 멤리스터로의 응용 잠재력이 매우 높습니다.

기술 분야

스핀트로닉스 메모리 소자

기관

기초과학연구원

등록번호

1022510670000

키워드

자기 메모리, 정보 밀도, 데이터 저장 기술, 자기장 제어, 차세대 메모리, Fe3GeTe2, 스핀 시냅스 소자, 인공지능 반도체, 2차원 자성 물질, 멀티 비트, 저전력 메모리, 비휘발성 특성, 뉴로모픽 컴퓨팅, 전자 기기 부품, 스핀 멤리스터, 통신장비, 모바일통신, 전자회로