AI요약

전자 기기의 고속화와 저전력화 요구에 맞춰, 본 발명은 Fe3GeTe2를 활용한 혁신적인 자기 메모리 장치 및 동작 방법을 제공합니다. 전기장과 자기장 제어를 통해 기존 메모리의 한계를 넘어선 멀티 비트 기록 및 저장이 가능합니다. 이를 통해 정보 밀도를 획기적으로 높이고, 적은 에너지로 효율적인 정보 기록이 가능하여 에너지 효율이 우수합니다. 특히, 인공지능 및 신경망 컴퓨터에 활용될 차세대 다중 상태 스핀 멤리스터로의 응용 잠재력이 매우 높습니다.