AI요약

기존 비휘발성 메모리 소자 재료인 이트륨망간산화물(YMnO3)은 높은 항전기장으로 인해 효율적인 자발분극 반전이 어려워 응용에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위해 육방정계 YMnO3에 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)을 도핑하여 새로운 비휘발성 메모리 소자용 재료를 개발하였습니다. 이 신소재는 항전기장을 감소시켜 자발분극의 방향 반전을 용이하게 하며, 이를 통해 비휘발성 메모리 소자의 전력 소모를 줄이고 응용 가능성을 크게 향상시킵니다. 또한, 본 발명은 이러한 혁신적인 재료를 효과적으로 제조하는 공정 방법도 함께 제공하고 있습니다. 차세대 저전력 고성능 메모리 개발에 기여할 것으로 기대됩니다.