층상구조의 전이금속 황화인을 이용한 터널링 접합 소자

[기술 요약] 기존 터널링 접합 소자의 두꺼운 절연층은 효율 저하와 낮은 수율을 야기하는 문제점이 있습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하고자 층상구조의 전이금속 황화인을 혁신적인 절연층으로 활용합니다. 이 기술은 단분자층 수준의 극도로 얇은 두께에서도 안정적인 터널링 전류 특성을 유지하며, 고성능 전자소자 및 자기저항 소자 개발에 기여합니다. 특히, 제조 비용 절감과 높은 수율 달성에 유리하여 차세대 2차원 소재 기반 전자소자 상용화를 앞당길 것으로 기대됩니다. 본 기술은 트랜지스터 등 다양한 분야에 응용될 수 있습니다.

기술 분야

전자소자 및 2차원 소재 기술

기관

기초과학연구원

등록번호

1019801050000

키워드

전자소자, 전이금속 황화인, 절연층 특성, 화학 기상 증착, 유연 소자, TMPS 제조, TMPS3, 층상구조 절연층, 터널링 접합 소자, 자기저항 소자, 저전력 소자, 초소형 기기, 차세대 반도체, 비휘발성 메모리, 2차원 소재, 전자부품, 전자회로, 반도체소자, 나노구조, 나노응용